Исследование электронных процессов в алмазоподобных полупроводниковых материалах

Автор:  Дайнеко Евгения Александровна

Регистрационный номер:  0610РК00012

На соискание ученой степени:  PhD

Шифр специальности:  01.04.07

Дата защиты:  2010.06.05

Количество страниц:  112

Язык:  Рус

Ключевые слова:  Радиационные дефекты, Графен, Алмазоподобный углерод, Полупроводники, Наноструктурные материалы, Аморфный углерод, Дефекты кристаллических структур,

МРНТИ:  29.19.31 29.19.22 47.09.29



Построены компьютерные модели фрагментов графена и алмаза. Смоделированы стабильные типичные конфигурации радиационных дефектов в наноструктурах, определены их энергетические, структурные и электронные характеристики. Установлена возможность эффективного управления электронными свойствами аморфного гидрогенизированного алмазоподобного углерода (a-C:H). В результате сораспыления комбинированной мишени, состоящей из графита и серебра, возможно получение пленок a-C:H с разной концентрацией серебра. Внедренные атомы серебра образуют в аморфной матрице a-C:H изолированные нанокластеры, диаметры которых зависят от концентрации серебра. Проводимость системы резко нелинейно возрастает с концентрацией атомов серебра.

 


Последние Новости

  • 28.11.2012

    Казахстанская общенациональная пробная подписка на IEEE/IET

  • 20.12.2011

    В шаге от цели «Smart»

  • 20.12.2011

    Инновационный прорыв региона

Форма Авторизации

ВойтиВойти
  • Забыли пароль?